薩里大學的研究人員開發(fā)了一種單步程序，使單晶硅能承受比以往更多的壓力。這一發(fā)現(xiàn)正在申請專利，可能對硅光子學的未來發(fā)展至關(guān)重要。硅光子學是物聯(lián)網(wǎng)背后技術(shù)的基礎(chǔ)，目前受制于缺乏實惠、高效和易于集成的光發(fā)射器。

將光子學完全轉(zhuǎn)移到硅上一直是一個長期的目標，雖然科學家在開發(fā)無源硅光子設(shè)備方面已經(jīng)取得了許多成功，但使用周期表同一組元素的CMOS兼容激光器直到現(xiàn)在仍未實現(xiàn)。研究團隊正在利用他們的創(chuàng)新推進這項工作。

發(fā)表在《物理評論材料》期刊上的一篇新論文描述了該團隊如何通過離子植入懸浮膜中產(chǎn)生應(yīng)變，其方式類似于收緊一個鼓皮。研究發(fā)現(xiàn)，整個過程可以產(chǎn)生高達3.1%的雙軸應(yīng)變和高達8.5%的單軸應(yīng)變。同時，研究員指出，通過改變植入物種類和利用底層晶體方向可以實現(xiàn)更大應(yīng)變的途徑。該方法遠遠超過了以前使用方法的記錄。

這種新方法也是創(chuàng)造近紅外傳感器的重要一步，它可以為開發(fā)更復(fù)雜的智能手機鋪平道路——為它們安裝火災(zāi)警報器和一氧化碳傳感器。

科學家表示：“這項新技術(shù)有望對光子學領(lǐng)域產(chǎn)生高度顛覆性的影響，我們期待繼續(xù)開發(fā)基于這項技術(shù)的新設(shè)備。”

關(guān)鍵詞： 單晶硅 產(chǎn)生新應(yīng)變 水平 薩里大學